IT之家 12 月 11 日讯息，韩媒 hankooki 当地期间昨日示意，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品质能未达英伟达条款，难以在本年内慎重启动向这家大客户的供应，实践供货将落到 2025 年。

　　报说念示意，三星电子早在 2023 年 10 月就初始向英伟达供应 HBM3E 内存的质地测试样品，但一年多的期间内三星 HBM3E 的认证进程并未得回判辨施展。

　　韩媒征引讯息东说念主士的不雅点称，由于 SK 海力士在 HBM3E 上的越过地位，实践上为这一类型的利基内存细则了性能参数尺度，而三星电子的 HBM3E 在发烧和功耗等性能参数上无法清闲英伟达的条款。

　　据悉，三星电子的 HBM3E 未能得到英伟达供容或可，主要身分并非与 SK 海力士接收了不同的键合工艺。

　　IT之家注：

　　SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 键合时期九游体育app(中国)官方网站，而三星电子与好意思光则齐是 TC-NCF 热压非导电薄膜。